STMICROELECTRONICS STP21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 600 V 0.22 Ω Flange Mount FDmesh™ II MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP21NM60ND Power MOSFET, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
600V,0.17Ω,17A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 4 V
输入电容 1800 pF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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