STP21NM60ND

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STP21NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STP21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 600 V 0.22 Ω Flange Mount FDmesh™ II MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP21NM60ND  Power MOSFET, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
600V,0.17Ω,17A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220


STP21NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 4 V

输入电容 1800 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP21NM60ND引脚图与封装图
STP21NM60ND引脚图
STP21NM60ND封装焊盘图
在线购买STP21NM60ND
型号: STP21NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STP21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP21NM60ND
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