STW24NM65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW24NM65N概述

N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

N-Channel 650V 19A Tc 160W Tc Through Hole TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

贸泽:
MOSFET N-channel 650V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 19A TO-247

STW24NM65N中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 190 mΩ

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2500pF @50VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW24NM65N

型号： STW24NM65N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

立即咨询

替代型号STW24NM65N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STW24NM65N ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STW23NM60ND 意法半导体	类似代替	STW24NM65N和STW23NM60ND的区别
STW28N65M2 意法半导体	类似代替	STW24NM65N和STW28N65M2的区别
STW23NM60N 意法半导体	类似代替	STW24NM65N和STW23NM60N的区别