STF13N60M2

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STF13N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 11A


欧时:
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin TO-220 FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 25W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP


STF13N60M2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 25 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 380 mΩ

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 580pF @100VVds

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STF13N60M2
型号: STF13N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STF13N60M2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STF13N60M2

ST Microelectronics 意法半导体

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意法半导体

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STF13N60M2和STFI13N60M2的区别

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