N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 11A
欧时:
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin TO-220 FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
额定功率 25 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 380 mΩ
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 580pF @100VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STF13N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STFI13N60M2 意法半导体 | 完全替代 | STF13N60M2和STFI13N60M2的区别 |