N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STL8N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
耗散功率 2.5W Ta, 70W Tc
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 690pF @100VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 PowerVQFN-14
长度 5.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerVQFN-14
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STL8N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STL11N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STL8N65M5和STL11N65M5的区别 |