STL8N65M5

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STL8N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STL8N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT


STL8N65M5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 70W Tc

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 690pF @100VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 PowerVQFN-14

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerVQFN-14

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL8N65M5
型号: STL8N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STL8N65M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STL8N65M5

ST Microelectronics 意法半导体

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STL11N65M5

意法半导体

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STL8N65M5和STL11N65M5的区别

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