STN1HNK60

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STN1HNK60概述

STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223


立创商城:
N沟道 600V 400mA


贸泽:
MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
STN1HNK60 系列 N-沟道 600 V 8.5 Ohm SuperMESH 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-223


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,8.5Ω,400mA,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223


STN1HNK60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 400 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 500 mA

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 156pF @25VVds

额定功率Max 3.3 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 照明, Power Management, Power Management, Lighting, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STN1HNK60引脚图与封装图
STN1HNK60引脚图
STN1HNK60封装图
STN1HNK60封装焊盘图
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型号: STN1HNK60
描述:STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STN1HNK60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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