STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
立创商城:
N沟道 600V 400mA
贸泽:
MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
STN1HNK60 系列 N-沟道 600 V 8.5 Ohm SuperMESH 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-223
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,8.5Ω,400mA,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
额定电压DC 600 V
额定电流 400 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 156pF @25VVds
额定功率Max 3.3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, 照明, Power Management, Power Management, Lighting, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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