










550V,13A,N沟道MOSFET
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET N-ch 550 V 0.18 Ohm 13 A MDmesh
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STF18N55M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 25000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 550 V
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1260pF @100VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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