STW11NK100Z

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STW11NK100Z概述

STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 1kV 8.3A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 1 kV 1.38 Ohm Flange Mount SuperMESH™ MOSFET - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  Power MOSFET, N Channel, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 1kV 11A 1400mOhm TO247-3 **


力源芯城:
1000V,1.1Ohm,8.3A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247


STW11NK100Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 8.30 A

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.38 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1.00 kV

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.30 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW11NK100Z引脚图与封装图
STW11NK100Z引脚图
STW11NK100Z封装图
STW11NK100Z封装焊盘图
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型号: STW11NK100Z
描述:STMICROELECTRONICS  STW11NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STW11NK100Z
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