STP14NM65N

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STP14NM65N概述

N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

通孔 N 通道 650 V 12A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB


贸泽:
MOSFET N-channel 650V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STP14NM65N power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220


STP14NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP14NM65N
型号: STP14NM65N
描述:N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
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