STD6NK50ZT4

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STD6NK50ZT4概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK


立创商城:
N沟道 500V 5.6A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD6NK50ZT4, 5.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N Ch 500V 0.98 OHM 5.6A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD6NK50Z 系列 N 沟道 500 V 1.2 Ohm SuperMESH™ MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.5A; 90W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD6NK50ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 5.6 A, 500 V, 0.93 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK


STD6NK50ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 5.60 A

漏源极电阻 0.93 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 23.5 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD6NK50ZT4
型号: STD6NK50ZT4
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD6NK50ZT4
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