STL10N65M2参数规格_中文资料_数据手册PDF

STL10N65M2概述

N沟道 650V 4.5A

表面贴装型 N 通道 650 V 4.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat™（5x6）HV

立创商城:
N沟道 650V 4.5A

得捷:
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 8-Pin Power Flat EP T/R

Verical:
STL10N65M2

STL10N65M2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 48 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 6.6 ns

输入电容Ciss 1480pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： STL10N65M2

描述：N沟道 650V 4.5A