STP20NM60FP

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STP20NM60FP概述

STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NM60FP, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


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STP20NM60FP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP20NM60FP引脚图与封装图
STP20NM60FP引脚图
STP20NM60FP封装图
STP20NM60FP封装焊盘图
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型号: STP20NM60FP
描述:STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
替代型号STP20NM60FP
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