STD15N65M5

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ，STMicroelectronics

欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N CH 650V 11A DPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 710V 11A 3-Pin DPAK T/R

富昌:
STD15N65M5 系列 N 沟道 710 V 0.34 Ohm MDMESH™V 功率 Mosfet - DPAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

儒卓力:
**N-CH 650V 308mOhm 11A TO252 **

力源芯城:
650V,11A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSFET N CH 650V 11A DPAK