














STMICROELECTRONICS STD11NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD11NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.47 Ohm Mdmesh II 功率 MosFet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD11NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
500V,0.4Ω,8.5A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 547pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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