STD11NM50N

STD11NM50N图片1
STD11NM50N图片2
STD11NM50N图片3
STD11NM50N图片4
STD11NM50N图片5
STD11NM50N图片6
STD11NM50N图片7
STD11NM50N图片8
STD11NM50N图片9
STD11NM50N图片10
STD11NM50N图片11
STD11NM50N图片12
STD11NM50N图片13
STD11NM50N图片14
STD11NM50N图片15
STD11NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STD11NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD11NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.47 Ohm Mdmesh II 功率 MosFet - TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD11NM50N  MOSFET Transistor, N Channel, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.4Ω,8.5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK


STD11NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 547pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD11NM50N
型号: STD11NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STD11NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD11NM50N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD11NM50N

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STD18N55M5

意法半导体

类似代替

STD11NM50N和STD18N55M5的区别

STD15NF10T4

意法半导体

类似代替

STD11NM50N和STD15NF10T4的区别

STD86N3LH5

意法半导体

类似代替

STD11NM50N和STD86N3LH5的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司