STW60N65M5

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STW60N65M5概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 650V 46A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW60N65M5, 46 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
This STW60N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 255000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh v technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 710V 46A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247


STW60N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 255 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 6810pF @100VVds

额定功率Max 255 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 255W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW60N65M5
型号: STW60N65M5
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STW60N65M5
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