N沟道650 V， 0.070欧姆， 33一个的MDmesh V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.070 ohm, 33 A MDmesh V Power MOSFET
N-Channel 650V 33A Tc 190W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
富昌:
STI42N65M5 系列 650 V 79 mOhm N-沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET - I2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4650pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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