STQ2NK60ZR-AP

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STQ2NK60ZR-AP概述

齐纳保护超网MOSFET Zener-Protected SuperMESH MOSFET

N-Channel 600V 400mA Tc 3W Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STQ2NK60ZR-AP power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 30000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo Pack


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92


STQ2NK60ZR-AP中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 0.4A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 170pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STQ2NK60ZR-AP
型号: STQ2NK60ZR-AP
描述:齐纳保护超网MOSFET Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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