N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
立创商城:
STP57N65M5
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 650 V, 0.056 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP57N65M5 系列 N沟道 650 V 63 mOhm MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
650V,42A,N沟道MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 63 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 4 V
输入电容 4200 pF
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 42A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4200pF @100VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free