STP9NK90Z

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STP9NK90Z概述

STMICROELECTRONICS  STP9NK90Z.  场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH


e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP9NK90Z: 900 V 1.3Ohm 8 A N-Channel Zener-Protected SuperMESH™ Power Mosfet


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP9NK90Z  Power MOSFET, N Channel, 8 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET


STP9NK90Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 2115pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP9NK90Z
型号: STP9NK90Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP9NK90Z.  场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220
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