STMICROELECTRONICS STP9NK90Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP9NK90Z: 900 V 1.3Ohm 8 A N-Channel Zener-Protected SuperMESH™ Power Mosfet
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP9NK90Z Power MOSFET, N Channel, 8 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 3.75 V
Win Source:
N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
额定电压DC 900 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2115pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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