STP13NK50Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP13NK50Z概述

N型沟道500伏， 0.40 Ω ， 11 A TO - 220，TO- 220FP ，TO- 247齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET

通孔 N 通道 500 V 11A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

贸泽:
MOSFET 500V 0.40& 11A N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

STP13NK50Z中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP13NK50Z

型号： STP13NK50Z

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N型沟道500伏， 0.40 Ω ， 11 A TO - 220，TO- 220FP ，TO- 247齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET

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替代型号STP13NK50Z

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