STP6NK90ZFP

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STP6NK90ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP6NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP


立创商城:
N沟道 900V 5.8A


贸泽:
MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 900V 6A 2000mOhm TO220FP **


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP


STP6NK90ZFP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 1350 pF

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP6NK90ZFP引脚图与封装图
STP6NK90ZFP引脚图
STP6NK90ZFP封装焊盘图
在线购买STP6NK90ZFP
型号: STP6NK90ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP6NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
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