STMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
立创商城:
N沟道 900V 5.8A
贸泽:
MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 5.8 A, 1.56 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 900V 6A 2000mOhm TO220FP **
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.56 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 1350 pF
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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