STW52NK25Z

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STW52NK25Z概述

STMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 250V 52A


得捷:
MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW52NK25Z, 52 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW52NK25Z 系列 N 沟道 250 V 45 mΩ 160 nC SuperMESH™ MOSFET - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 32.76A; 300W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 52A TO-247


STW52NK25Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 52.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 4850pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STW52NK25Z引脚图与封装图
STW52NK25Z引脚图
STW52NK25Z封装图
STW52NK25Z封装焊盘图
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型号: STW52NK25Z
描述:STMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STW52NK25Z
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