STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW45NM50, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
立创商城:
N沟道 500V 45A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Jameco:
Transistor MOSFET N-Channel 500 Volt 45A 3-Pin3+Tab TO-247
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
STW45NM50 系列 N 沟道 500 V 0.1 Ω 87 nC MDmesh 功率 MosFet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 500V 45A 90mOhm TO247-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
额定电压DC 500 V
额定电流 45.0 A
额定功率 390 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 417 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
上升时间 107.5 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
额定功率Max 417 W
下降时间 87.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 417W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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