STI33N60M2概述
I2PAK N-CH 650V 26A
通孔 N 通道 26A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin I2PAK Tube
STI33N60M2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 9.6 ns
输入电容Ciss 1781pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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