STW26NM50

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STW26NM50概述

STMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 30A(Tc) 313W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Jameco:
MOS 500V 0.12OHM


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW26NM50 系列 N沟道 500 V 120 mOhm MDmesh 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 500V 30A 120mOhm TO247-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247


STW26NM50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 30.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 313 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 313 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 313W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STW26NM50
型号: STW26NM50
描述:STMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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