STP18N65M5

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STP18N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


立创商城:
STP18N65M5


得捷:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.198 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STP18N65M5 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 650 V 0.22 Ω 31 nC Flange Mount MDmesh™ V Power Mosfet - TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 15A 220mOhm TO220-3 **


力源芯城:
650V,15A,N沟道MOSFET


STP18N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.198 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

输入电容 1240 pF

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1240pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP18N65M5
型号: STP18N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP18N65M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP18N65M5

ST Microelectronics 意法半导体

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STI18N65M5

意法半导体

功能相似

STP18N65M5和STI18N65M5的区别

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