N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
立创商城:
STP18N65M5
得捷:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.198 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STP18N65M5 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 650 V 0.22 Ω 31 nC Flange Mount MDmesh™ V Power Mosfet - TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
儒卓力:
**N-CH 650V 15A 220mOhm TO220-3 **
力源芯城:
650V,15A,N沟道MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.198 Ω
极性 N-CH
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 1240 pF
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1240pF @100VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP18N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STI18N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STP18N65M5和STI18N65M5的区别 |