N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
立创商城:
N沟道 650V 33A
贸泽:
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 650 V 79 mΩ 100 nC Flange Mount MDmesh™ V Power MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
650V,33A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4650pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STP42N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STW42N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STP42N65M5和STW42N65M5的区别 |
STB42N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STP42N65M5和STB42N65M5的区别 |