STP42N65M5

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STP42N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3


立创商城:
N沟道 650V 33A


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MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 650 V 79 mΩ 100 nC Flange Mount MDmesh™ V Power MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
650V,33A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 33A TO-220


STP42N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 4650pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP42N65M5引脚图与封装图
STP42N65M5引脚图
STP42N65M5封装图
STP42N65M5封装焊盘图
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型号: STP42N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP42N65M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP42N65M5

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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STW42N65M5

意法半导体

完全替代

STP42N65M5和STW42N65M5的区别

STB42N65M5

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