N沟道100 V, 0.015 I© , 60 A , STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 , DPAK , TO- 247 , D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK
N-Channel 100V 60A Tc 125W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
贸泽:
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 100 V 0.0195 Ohm Surface Mount STripFET™ Power MosFet - TO-252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD70N10F4 MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 20 ns
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD70N10F4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN025-100D,118 恩智浦 | 功能相似 | STD70N10F4和PSMN025-100D,118的区别 |
IRFR3710ZPBF 国际整流器 | 功能相似 | STD70N10F4和IRFR3710ZPBF的区别 |
IRFR3710ZTRPBF 国际整流器 | 功能相似 | STD70N10F4和IRFR3710ZTRPBF的区别 |