STD70N10F4

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STD70N10F4概述

N沟道100 V, 0.015 I© , 60 A , STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 , DPAK , TO- 247 , D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK

N-Channel 100V 60A Tc 125W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 100 V 0.0195 Ohm Surface Mount STripFET™ Power MosFet - TO-252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD70N10F4  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK


STD70N10F4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 20 ns

正向电压Max 1.5 V

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STD70N10F4引脚图与封装图
STD70N10F4引脚图
STD70N10F4封装焊盘图
在线购买STD70N10F4
型号: STD70N10F4
描述:N沟道100 V, 0.015 I© , 60 A , STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 , DPAK , TO- 247 , D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK
替代型号STD70N10F4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD70N10F4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

PSMN025-100D,118

恩智浦

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