STP6N60M2

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STP6N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220


立创商城:
STP6N60M2


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 1.06 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STP6N60M2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
单 N沟道 600 V 60 W 4.5 A 1.2 Ω 法兰安装 功率 MosFET - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 60W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP6N60M2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 232pF @100VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 22.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP6N60M2
型号: STP6N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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