STP13NM60ND

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STP13NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220


立创商城:
N沟道 600V 11A


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
STP13NM60ND 系列 600V 380mOhm N 沟道 FDmesh II Plus 功率 MOSFET - TO-220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP13NM60ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 109 W

输入电容 845 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 845pF @50VVds

下降时间 15.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 109W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP13NM60ND
型号: STP13NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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