STW27NM60ND参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW27NM60ND概述

600V,21A,N沟道MOSFET

通孔 N 通道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

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N沟道 600V 21A

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MOSFET N-channel 600 V FDMesh

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Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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N-Channel 600 160 mΩ Flange Mount FDmesh™ II Power Mosfet - TO-247

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600V,21A,N沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247

STW27NM60ND中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 130 mΩ

耗散功率 160W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW27NM60ND

型号： STW27NM60ND

描述：600V,21A,N沟道MOSFET

替代型号STW27NM60ND

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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