STP10NK60ZFP

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STP10NK60ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 600V 10A


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V


力源芯城:
10A,600V,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


STP10NK60ZFP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

额定功率 35 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.65 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 1370 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1370pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

STP10NK60ZFP引脚图与封装图
STP10NK60ZFP引脚图
STP10NK60ZFP封装图
STP10NK60ZFP封装焊盘图
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型号: STP10NK60ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP10NK60ZFP
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