STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
N沟道 600V 10A
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
力源芯城:
10A,600V,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
额定功率 35 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.65 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 1370 pF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1370pF @25VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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