STB21N90K5

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STB21N90K5概述

N沟道900 V, 0.25 I© (典型值) , 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

N-Channel 900V 18.5A Tc 250W Tc Surface Mount D2PAK


立创商城:
N沟道 900V 18.5A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 900 V 0.299 Ohm SMT Power MOSFET - D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11.6A; 250W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 900V 18,5A 299mOhm TO263 **


力源芯城:
900V,18.5A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK


STB21N90K5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

输入电容 1645 pF

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 18.5A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1645pF @100VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB21N90K5引脚图与封装图
STB21N90K5引脚图
STB21N90K5封装图
STB21N90K5封装焊盘图
在线购买STB21N90K5
型号: STB21N90K5
描述:N沟道900 V, 0.25 I© (典型值) , 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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