STF57N65M5

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STF57N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 650 V, 0.056 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STF57N65M5 系列 650 V 0.063 Ohm N 沟道 MDmesh™ V Mosfet - TO-220FP-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
650V,42A,N沟道MOSFET


STF57N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.056 Ω

极性 N-CH

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 4200pF @100VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STF57N65M5
型号: STF57N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
替代型号STF57N65M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STF57N65M5

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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美高森美

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