STW26NM60N

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STW26NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STW26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 600V 20A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 600 V 0.165 Ω 60 nC Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 140W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW26NM60N  Power MOSFET, Mdmesh, N Channel, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,0.135Ω,20A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247


STW26NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 3 V

输入电容 1800 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

STW26NM60N引脚图与封装图
STW26NM60N引脚图
STW26NM60N封装图
STW26NM60N封装焊盘图
在线购买STW26NM60N
型号: STW26NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STW26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STW26NM60N
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