STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
立创商城:
N沟道 600V 20A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-Channel 600 V 0.165 Ω 60 nC Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 140W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW26NM60N Power MOSFET, Mdmesh, N Channel, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,0.135Ω,20A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 3 V
输入电容 1800 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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