STI18N65M5

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STI18N65M5概述

MOSFET N-Ch 650V 0.198Ω 15A MDmeshTM V

N-Channel 650V 15A Tc 110W Tc Through Hole I2PAK


得捷:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 650 V 0.198 Ohm 15 A MDmeshTM V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STI18N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK


STI18N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 198 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1240pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI18N65M5
型号: STI18N65M5
描述:MOSFET N-Ch 650V 0.198Ω 15A MDmeshTM V
替代型号STI18N65M5
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ST Microelectronics 意法半导体

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