STP3N80K5

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STP3N80K5概述

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220


立创商城:
STP3N80K5


贸泽:
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STP3N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 25000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
单 N沟道 800 V 3.5 Ω 60 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP3N80K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.8 Ω

耗散功率 60 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 130pF @100VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP3N80K5
型号: STP3N80K5
描述:N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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