STP16N65M5

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STP16N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STP16N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3


立创商城:
N沟道 650V 12A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
This STP16N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh v technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP16N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.299 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 650V 12A 279mOhm TO220 **


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220


STP16N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1250pF @100VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP16N65M5引脚图与封装图
STP16N65M5引脚图
STP16N65M5封装图
STP16N65M5封装焊盘图
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型号: STP16N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STP16N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP16N65M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP16N65M5

ST Microelectronics 意法半导体

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STU16N65M5

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完全替代

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