STMICROELECTRONICS STP16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
立创商城:
N沟道 650V 12A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
This STP16N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh v technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP16N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.299 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 650V 12A 279mOhm TO220 **
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1250pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP16N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STU16N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STP16N65M5和STU16N65M5的区别 |
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