STMICROELECTRONICS STF8NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 1 kV, 1.6 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
N沟道 1kV 6.5A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STF8NK100Z 系列 N 沟道 1000 V 1.85 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - TO-220FP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STF8NK100Z MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 1 kV, 1.6 ohm, 10 V, 3.75 V
Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 6.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 2.18 nF
栅电荷 73.0 nC
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2180pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
