














N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 100V 180A
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STP310N10F7 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 315000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with stripfet technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R
富昌:
N-沟道 100 V 2.7 mOhm STripFET™ VII DeepGATE™ Mosfet TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 315W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP310N10F7 MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-220-3 New
力源芯城:
100V,2.3mΩ,180A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 315 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 108 ns
输入电容Ciss 12800pF @25VVds
额定功率Max 315 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP310N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STH310N10F7-6 意法半导体 | 功能相似 | STP310N10F7和STH310N10F7-6的区别 |
STH310N10F7-2 意法半导体 | 功能相似 | STP310N10F7和STH310N10F7-2的区别 |
IPB027N10N3G 英飞凌 | 功能相似 | STP310N10F7和IPB027N10N3G的区别 |