N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
艾睿:
This STH240N75F3-6 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 300000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet iii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
输入电容 6800 pF
漏源极电压Vds 75 V
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-7
长度 15.25 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STH240N75F3-6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STH240N75F3-2 意法半导体 | 功能相似 | STH240N75F3-6和STH240N75F3-2的区别 |