STMICROELECTRONICS STP3NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK90ZFP, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
立创商城:
N沟道 900V 3A
贸泽:
MOSFET N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET in TO-220FP package
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP3NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP3NK90ZFP Power MOSFET, N Channel, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 900V 3A 4800mOhm TO220FP **
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 4.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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