N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STB130N6F7, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 80A 5mOhm TO263 **
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
耗散功率 160 W
阈值电压 2 V
输入电容 2600 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 44 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99