STB130N6F7

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STB130N6F7概述

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STB130N6F7, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 80A 5mOhm TO263 **


STB130N6F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

耗散功率 160 W

阈值电压 2 V

输入电容 2600 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB130N6F7
型号: STB130N6F7
描述:N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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