





N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
立创商城:
N沟道 650V 42A
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-chanel 650 V 0.056 Ohm typ 42 A
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STW57N65M5-4 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 250000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; TO247-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
儒卓力:
**N-CH 650V 56mOhm 42A TO247-4 **
漏源极电阻 63 mΩ
耗散功率 250 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4200pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
长度 15.9 mm
宽度 5.1 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99