STMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
立创商城:
N沟道 600V 2.4A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK60ZT4, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 600V 2A 3600mOhm TO252-3 **
力源芯城:
600V,2.4A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
额定电压DC 600 V
额定电流 2.40 A
针脚数 3
漏源极电阻 3.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 311pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 照明, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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