STB33N65M2

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STB33N65M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 24A 140mOhm D2PAK **


STB33N65M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 117 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 11.5 ns

输入电容Ciss 1790pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STB33N65M2
型号: STB33N65M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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