STP80NF10FP

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STP80NF10FP概述

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP


立创商城:
STP80NF10FP


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
N-Channel 100 V 15 mΩ Flange Mount STripFET™ II Power Mosfet - TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 45W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 100V 38A 15mOhm TO220FP **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP


STP80NF10FP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

额定功率 45 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 4300pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP80NF10FP引脚图与封装图
STP80NF10FP引脚图
STP80NF10FP封装图
STP80NF10FP封装焊盘图
在线购买STP80NF10FP
型号: STP80NF10FP
描述:N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP80NF10FP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP80NF10FP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

FQPF70N10

飞兆/仙童

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