N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
立创商城:
STP80NF10FP
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
N-Channel 100 V 15 mΩ Flange Mount STripFET™ II Power Mosfet - TO-220FP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 45W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
儒卓力:
**N-CH 100V 38A 15mOhm TO220FP **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
额定功率 45 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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