STFI10N65K3参数规格_中文资料_数据手册PDF

STFI10N65K3概述

N沟道650 V， 0.75欧姆（典型值）， 10齐纳保护SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages

N-Channel 650V 10A Tc 35W Tc Through Hole I2PAKFP TO-281

得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube

力源芯城:
650V,10A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSF N CH 650V 10A I2PAKFP

STFI10N65K3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 35W Tc

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买STFI10N65K3

型号： STFI10N65K3

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650 V， 0.75欧姆（典型值）， 10齐纳保护SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages

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