STD8NM60ND

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STD8NM60ND概述

N-channel 600V, 0.59Ω, 7A, FDmeshTM II Power MOSFET with fast diode DPAK

N-Channel 600V 7A Tc 70W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp FDMesh


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STD8NM60ND power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 70000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with fdmesh ii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK


STD8NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.59 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 560pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD8NM60ND
型号: STD8NM60ND
描述:N-channel 600V, 0.59Ω, 7A, FDmeshTM II Power MOSFET with fast diode DPAK
替代型号STD8NM60ND
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