STP3NK60Z

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STP3NK60Z概述

STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V

通孔 N 通道 2.4A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB


立创商城:
STP3NK60Z


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH


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STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V


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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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STP3NK 系列 N 沟道 600 V 3.6 Ohm SuperMesh 功率 Mosfet - TO-220-3


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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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# STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V


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**N-CH 600V 3A 3600mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220


STP3NK60Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 2.40 A

针脚数 3

漏源极电阻 3.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 311pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management, Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP3NK60Z引脚图与封装图
STP3NK60Z引脚图
STP3NK60Z封装图
STP3NK60Z封装焊盘图
在线购买STP3NK60Z
型号: STP3NK60Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP3NK60Z
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