STMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
通孔 N 通道 2.4A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
立创商城:
STP3NK60Z
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
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STMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP3NK 系列 N 沟道 600 V 3.6 Ohm SuperMesh 功率 Mosfet - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP3NK60Z Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 600V 3A 3600mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
额定电压DC 600 V
额定电流 2.40 A
针脚数 3
漏源极电阻 3.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 311pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management, Lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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