STB27NM60ND概述
600V,21A,N沟道MOSFET
表面贴装型 N 通道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB27NM60 系列 600 V 160 mOhm N 沟道 FDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
600V,21A,N沟道MOSFET
STB27NM60ND中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2400pF @50VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STB27NM60ND